GAGG: Ce scintilator, GAGG kristal, GAGG scintilacijski kristal
Prednost
● Dobra zavorna moč
● Visoka svetlost
● Nizek naknadni sijaj
● Hiter čas razpada
Aplikacija
● Gama kamera
● PET, PEM, SPECT, CT
● Zaznavanje rentgenskih in gama žarkov
● Pregled posode z visoko energijo
Lastnosti
| Vrsta | GAGG-HL | GAGG ravnotežje | GAGG-FD |
| Kristalni sistem | Kubični | Kubični | Kubični |
| Gostota（g/cm3） | 6.6 | 6.6 | 6.6 |
| Svetlobni izkoristek (fotoni/kev) | 60 | 50 | 30 |
| Čas razpada (ns) | ≤150 | ≤90 | ≤48 |
| Sredinska valovna dolžina (nm) | 530 | 530 | 530 |
| Tališče (℃) | 2105 ℃ | 2105 ℃ | 2105 ℃ |
| Atomski koeficient | 54 | 54 | 54 |
| Energetska ločljivost | <5 % | <6 % | <7 % |
| Samosevanje | No | No | No |
| Higroskopičen | No | No | No |
Opis izdelka
GAGG:Ce (Gd3Al2Ga3O12) gadolinijev aluminijev galijev granat, dopiran s cerijem.Gre za nov scintilator za enofotonsko emisijsko računalniško tomografijo (SPECT), žarke gama in detekcijo Comptonovih elektronov.GAGG:Ce, dopiran s cerijem, ima številne lastnosti, zaradi katerih je primeren za spektroskopijo gama in aplikacije za medicinsko slikanje.Zaradi visokega izkoristka fotonov in vrha emisij okoli 530 nm je material zelo primeren za odčitavanje s silicijevimi fotopomnoževalnimi detektorji.Epic crystal je razvil 3 vrste kristala GAGG:Ce, s kristalom s hitrejšim časom razpada (GAGG-FD), tipičnim (GAGG-Balance) kristalom, kristalom z večjo svetlobno močjo (GAGG-HL), za stranke na različnih področjih.GAGG:Ce je zelo obetaven scintilator na visokoenergetskem industrijskem področju, ko je bil okarakteriziran na življenjskem testu pod 115 kv, 3 mA in virom sevanja, ki se nahaja na razdalji 150 mm od kristala, po 20 urah je zmogljivost skoraj enaka kot sveža eno.To pomeni, da ima dobre možnosti, da prenese visoke doze pri obsevanju z rentgenskimi žarki, seveda je odvisno od pogojev obsevanja in v primeru nadaljevanja z GAGG za NDT je treba izvesti nadaljnji natančen test.Poleg posameznega kristala GAGG:Ce ga lahko izdelamo v linearni in dvodimenzionalni niz, velikost slikovnih pik in ločilo pa lahko dosežemo glede na zahteve.Razvili smo tudi tehnologijo za keramični GAGG:Ce, ima boljši čas razreševanja naključij (CRT), hitrejši čas razpadanja in večjo svetlobno moč.
Energijska ločljivost: GAGG Dia2”x2”, 8,2 % Cs137@662Kev
Uspešnost Afterglow
Zmogljivost izhodne svetlobe
Časovna ločljivost: Gagg Fast Decay Time
(a) Časovna ločljivost: CRT=193 ps (FWHM, energijsko okno: [440keV 550keV])
(a) Časovna ločljivost Vs.prednapetost: (energijsko okno: [440keV 550keV])
Upoštevajte, da je največja emisija GAGG 520 nm, medtem ko so senzorji SiPM zasnovani za kristale z največjo emisijo 420 nm.PDE za 520 nm je 30 % nižji v primerjavi s PDE za 420 nm.CRT GAGG bi lahko izboljšali s 193 ps (FWHM) na 161,5 ps (FWHM), če bi se PDE senzorjev SiPM za 520 nm ujemal s PDE za 420 nm.
