Substrat PMN-PT
Opis
Kristal PMN-PT je znan po izjemno visokem elektromehanskem spojnem koeficientu, visokem piezoelektričnem koeficientu, visoki deformaciji in nizki dielektrični izgubi.
Lastnosti
| Kemična sestava | ( PbMg 0,33 Nb 0,67)1-x: (PbTiO3)x |
| Struktura | R3m, romboedar |
| Mreža | a0 ~ 4,024Å |
| Tališče（℃） | 1280 |
| Gostota (g/cm3) | 8.1 |
| Piezoelektrični koeficient d33 | > 2000 pC/N |
| Dielektrična izguba | tand<0,9 |
| Sestava | blizu morfotropne fazne meje |
Opredelitev substrata PMN-PT
Substrat PMN-PT se nanaša na tanek film ali rezino iz piezoelektričnega materiala PMN-PT.Služi kot podporna osnova ali osnova za različne elektronske ali optoelektronske naprave.
V kontekstu PMN-PT je substrat tipično ravna toga površina, na kateri je mogoče gojiti ali odlagati tanke plasti ali strukture.Substrati PMN-PT se običajno uporabljajo za izdelavo naprav, kot so piezoelektrični senzorji, aktuatorji, pretvorniki in zbiralniki energije.
Ti substrati zagotavljajo stabilno platformo za rast ali odlaganje dodatnih plasti ali struktur, kar omogoča integracijo piezoelektričnih lastnosti PMN-PT v naprave.Tankoplastna ali rezinasta oblika substratov PMN-PT lahko ustvari kompaktne in učinkovite naprave, ki izkoristijo odlične piezoelektrične lastnosti materiala.
Podobni izdelki
Visoko ujemanje rešetk se nanaša na poravnavo ali ujemanje mrežnih struktur med dvema različnima materialoma.V kontekstu polprevodnikov MCT (živosrebrov kadmijev telurid) je zaželeno visoko ujemanje rešetk, ker omogoča rast visokokakovostnih epitaksialnih plasti brez napak.
MCT je sestavljeni polprevodniški material, ki se pogosto uporablja v infrardečih detektorjih in napravah za slikanje.Za maksimiranje zmogljivosti naprave je ključnega pomena gojiti epitaksialne plasti MCT, ki se tesno ujemajo z mrežno strukturo osnovnega substratnega materiala (običajno CdZnTe ali GaAs).
Z doseganjem visokega ujemanja rešetk se izboljša poravnava kristalov med plastmi, zmanjšajo pa se napake in napetosti na vmesniku.To vodi do boljše kakovosti kristalov, izboljšanih električnih in optičnih lastnosti ter izboljšane zmogljivosti naprave.
Visoko ujemanje rešetke je pomembno za aplikacije, kot je infrardeče slikanje in zaznavanje, kjer lahko celo majhne napake ali nepopolnosti poslabšajo zmogljivost naprave, kar vpliva na dejavnike, kot so občutljivost, prostorska ločljivost in razmerje med signalom in šumom.
